Martin Gabriel.
« L'avènement des mémoires flash »
in La Recherche (Paris. 1970), 375 (05/2004), p.84-85.
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Titre :
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L'avènement des mémoires flash (2004)
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Auteurs :
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Gabriel Martin, Auteur
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Type de document :
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Article : texte imprimé
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Dans :
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La Recherche (Paris. 1970) (375, 05/2004)
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Article en page(s) :
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p.84-85
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Langues de la publication :
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Français
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Mots-clés :
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périphérique de stockage/support numérique/2000-
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Résumé :
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Analyse, en 2004, des avantages des clés USB comparées aux autres supports de stockage. Principe de fonctionnement du transistor à effet de champ qui compose la mémoire flash des clés USB. Schémas : transistor à effet de champ et composants d'une clé USB. Schéma.
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Nature du document :
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Article de périodique
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